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K4RHE086VB-BCWM

Active Icon Active - IC DRAM DDR5 24 Gb 5600 Mbps
K4RHE086VB-BCWM
K4RHE086VB-BCWM
Samsung Semiconductor
Partie du Fabricant #
Catégorie:
Fiche Technique:
Description:
IC DRAM DDR5 24 Gb 5600 Mbps
 
3D Model Icon

K4RHE086VB-BCWM Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Catégorie
Série
-
Emballage
Tray
État du Produit
Active
Type de mémoire
Volatile
Format méoire
DRAM
Technologies
DDR5
Taille mémoire
24 Gb
Organisation de la mémoire
2G x 8
Interface mémoire
Parallel
Fréuence d%27horloge
-
Temps de cycle d%27ériture - Mot, page
-
Temps d%27accès
-
Tension - Alimentation
1.1 V
Tempéature de fonctionnement
0 ~ 85 ℃
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
82 FBGA
Boîtier fournisseur
82 FBGA

K4RHE086VB-BCWM Inventaire: 37750

Histoire Prix
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Léonie Caron
Location Icon France
5 stars
2021-08-02 07:24
Le marquage en feutre sur l’emballage n’est pas très lisible (confusion possible) ! Sans cela, conformez-vous! Merci vendeur!
Author Icon
Danuta Krawczyk
Location Icon Poland
5 stars
2021-08-12 12:06
Transistors IGBT non détectés SA pour testerach à côté de plus t7-h, en tescie pour przelaczanie avec-12V pour E plus zarowka alimenté + 12V pour C déclenché doigt avec Plus, zalancza avec-wylancza. Wysylka très rapide, livraison rapide, produit bon jakosci, très nous
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Bon produit et fonctionne correctement.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Bien reçu, pas encore testé
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Je commande 10pcs. Maintenant, testez trois puces et deux étaient ID 0x441, qui est STM32F412, pas STM32F407. Je suis très déçu.

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