K4RAH165VB-BCWM

Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
Description:
IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
K4RAH165VB-BCWM Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Organisation de la mémoire
1G x 16
Interface mémoire
Parallel
Temps de cycle d%27ériture - Mot, page
-
Tension - Alimentation
1.1 V
Tempéature de fonctionnement
0 ~ 85 ℃
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
106 FBGA
K4RAH165VB-BCWM Description
Le K4RAH165VB-BCWM est un module de mémoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) fabriqué par Samsung Semiconductor. Ce composant est principalement utilisé dans des applications nécessitant une mémoire vive rapide et efficace, comme les ordinateurs, les serveurs, et d%27autres dispositifs électroniques.
### Caractéristiques Techniques
1. Type de Mémoire: DRAM DDR3 (Double Data Rate 3)
2. Capacité: 2 Go (Gigaoctets)
3. Configuration: 1 x 16 bits
4. Tension d%27Alimentation: 1.5 V
5. Fréquence de Fonctionnement: 1066 MHz (PC3-8500)
6. Temps d%27Accès: CL7 (CAS Latency)
7. Boîtier: FBGA (Fine Ball Grid Array)
8. Dimensions: 8 mm x 8 mm
9. Température de Fonctionnement: -40 °C à +85 °C
### Applications
Le K4RAH165VB-BCWM est utilisé dans une variété d%27applications, notamment :
- Ordinateurs Portables et de Bureau: Fournit une mémoire vive rapide pour le traitement des données.
- Serveurs: Utilisé dans des environnements de serveur où la performance et la fiabilité sont essentielles.
- Appareils Électroniques Grand Public: Intégré dans des dispositifs tels que des téléviseurs intelligents, des consoles de jeux, et des systèmes de divertissement.
### Avantages
- Haute Performance: Avec une fréquence de 1066 MHz et un temps d%27accès rapide, ce module DRAM offre des performances élevées pour les applications exigeantes.
- Efficacité Énergétique: Fonctionnant à une tension de 1.5 V, il contribue à réduire la consommation d%27énergie, ce qui est crucial pour les appareils portables.
- Fiabilité: Conçu pour fonctionner dans une large plage de températures, ce qui le rend adapté à des environnements variés.
### Conclusion
Le K4RAH165VB-BCWM de Samsung Semiconductor est un choix idéal pour les concepteurs de systèmes qui recherchent une mémoire DRAM fiable et performante. Avec ses spécifications techniques robustes et sa capacité à fonctionner dans des conditions variées, il est adapté à une large gamme d%27applications électroniques. Pour des informations plus détaillées, il est recommandé de consulter la fiche technique fournie par Samsung, qui contient des informations supplémentaires sur les caractéristiques électriques et les performances du module.
K4RAH165VB-BCWM Inventaire: 31650
5.0 / 5.0

2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester

2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!

2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais

2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien