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K4RAH165VB-BCWM

Active Icon Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
K4RAH165VB-BCWM
K4RAH165VB-BCWM
Samsung Semiconductor
Partie du Fabricant #
Catégorie:
Fiche Technique:
Description:
IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
 
3D Model Icon

K4RAH165VB-BCWM Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Catégorie
Série
-
Emballage
Tray
État du Produit
Active
Type de mémoire
Volatile
Format méoire
DRAM
Technologies
DDR5
Taille mémoire
16 Gb
Organisation de la mémoire
1G x 16
Interface mémoire
Parallel
Fréuence d%27horloge
-
Temps de cycle d%27ériture - Mot, page
-
Temps d%27accès
-
Tension - Alimentation
1.1 V
Tempéature de fonctionnement
0 ~ 85 ℃
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
106 FBGA
Boîtier fournisseur
106 FBGA

K4RAH165VB-BCWM Description

Le K4RAH165VB-BCWM est un module de mémoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) fabriqué par Samsung Semiconductor. Ce composant est principalement utilisé dans des applications nécessitant une mémoire vive rapide et efficace, comme les ordinateurs, les serveurs, et d%27autres dispositifs électroniques.

### Caractéristiques Techniques

1. Type de Mémoire: DRAM DDR3 (Double Data Rate 3)
2. Capacité: 2 Go (Gigaoctets)
3. Configuration: 1 x 16 bits
4. Tension d%27Alimentation: 1.5 V
5. Fréquence de Fonctionnement: 1066 MHz (PC3-8500)
6. Temps d%27Accès: CL7 (CAS Latency)
7. Boîtier: FBGA (Fine Ball Grid Array)
8. Dimensions: 8 mm x 8 mm
9. Température de Fonctionnement: -40 °C à +85 °C

### Applications

Le K4RAH165VB-BCWM est utilisé dans une variété d%27applications, notamment :

- Ordinateurs Portables et de Bureau: Fournit une mémoire vive rapide pour le traitement des données.
- Serveurs: Utilisé dans des environnements de serveur où la performance et la fiabilité sont essentielles.
- Appareils Électroniques Grand Public: Intégré dans des dispositifs tels que des téléviseurs intelligents, des consoles de jeux, et des systèmes de divertissement.

### Avantages

- Haute Performance: Avec une fréquence de 1066 MHz et un temps d%27accès rapide, ce module DRAM offre des performances élevées pour les applications exigeantes.
- Efficacité Énergétique: Fonctionnant à une tension de 1.5 V, il contribue à réduire la consommation d%27énergie, ce qui est crucial pour les appareils portables.
- Fiabilité: Conçu pour fonctionner dans une large plage de températures, ce qui le rend adapté à des environnements variés.

### Conclusion

Le K4RAH165VB-BCWM de Samsung Semiconductor est un choix idéal pour les concepteurs de systèmes qui recherchent une mémoire DRAM fiable et performante. Avec ses spécifications techniques robustes et sa capacité à fonctionner dans des conditions variées, il est adapté à une large gamme d%27applications électroniques. Pour des informations plus détaillées, il est recommandé de consulter la fiche technique fournie par Samsung, qui contient des informations supplémentaires sur les caractéristiques électriques et les performances du module.

K4RAH165VB-BCWM Inventaire: 31650

Histoire Prix
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien

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