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K4RAH086VP-BCWM

Active Icon Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
K4RAH086VP-BCWM
K4RAH086VP-BCWM
Samsung Semiconductor
Partie du Fabricant #
Catégorie:
Fiche Technique:
Description:
IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps
 
3D Model Icon

K4RAH086VP-BCWM Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Catégorie
Série
-
Emballage
Tray
État du Produit
Active
Type de mémoire
Volatile
Format méoire
DRAM
Technologies
DDR5
Taille mémoire
16 Gb
Organisation de la mémoire
2G x 8
Interface mémoire
Parallel
Fréuence d%27horloge
-
Temps de cycle d%27ériture - Mot, page
-
Temps d%27accès
-
Tension - Alimentation
1.1 V
Tempéature de fonctionnement
0 ~ 85 ℃
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
82 FBGA
Boîtier fournisseur
82 FBGA

K4RAH086VP-BCWM Description

Le Samsung Semiconductor K4RAH086VP-BCWM est un module de mémoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) qui fait partie de la gamme de produits de mémoire de Samsung. Ce type de mémoire est couramment utilisé dans divers appareils électroniques, notamment les smartphones, les tablettes et les ordinateurs portables. Voici une présentation détaillée de ce module, y compris ses spécifications techniques.

### Présentation Générale

Le K4RAH086VP-BCWM est un module de mémoire DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory). Il est conçu pour offrir des performances élevées tout en maintenant une faible consommation d%27énergie, ce qui le rend idéal pour les applications mobiles et embarquées.

### Spécifications Techniques

1. Type de Mémoire: DDR3 SDRAM
2. Capacité: 1 Go (Gigaoctet)
3. Configuration: 8 bits x 8 bits
4. Fréquence: 1066 MHz (Mémoire DDR3-1066)
5. Tension d%27Alimentation: 1.5 V
6. Latence CAS: CL7 (7 cycles)
7. Température de Fonctionnement: -40°C à +85°C (pour les applications industrielles)
8. Emballage: FBGA (Fine Ball Grid Array)
9. Dimensions: 8 mm x 6 mm
10. Nombre de Pins: 78

### Caractéristiques

- Performance: Le K4RAH086VP-BCWM offre une bande passante élevée grâce à sa conception DDR3, permettant des transferts de données rapides et efficaces.
- Efficacité Énergétique: Avec une tension d%27alimentation de 1.5 V, ce module est conçu pour consommer moins d%27énergie par rapport aux générations précédentes de mémoire, ce qui est crucial pour les appareils portables.
- Fiabilité: Samsung est reconnu pour la qualité et la fiabilité de ses produits, et ce module ne fait pas exception. Il est conçu pour fonctionner dans des environnements exigeants, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des applications critiques.
- Applications: Ce module est idéal pour une variété d%27applications, y compris les smartphones, les tablettes, les ordinateurs portables, et d%27autres dispositifs électroniques nécessitant une mémoire rapide et fiable.

### Conclusion

Le Samsung Semiconductor K4RAH086VP-BCWM est un choix excellent pour les fabricants d%27appareils électroniques qui recherchent une mémoire DRAM performante et économe en énergie. Avec ses spécifications techniques avancées et sa fiabilité, il répond aux besoins des applications modernes tout en offrant une performance optimale.

K4RAH086VP-BCWM Inventaire: 17625

Histoire Prix
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Les marchandises sont très satisfaites, la vendeuse Merci beaucoup.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

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