2N7000

Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Description:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4.5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
50 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Boîtier
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000 Description
Le 2N7000 est un transistor à effet de champ (FET) de type N, fabriqué par STMicroelectronics et largement utilisé dans diverses applications électroniques. Ce composant est particulièrement apprécié pour sa simplicité d%27utilisation, sa fiabilité et ses performances dans des circuits de commutation et d%27amplification. Voici une présentation détaillée de ses spécifications et caractéristiques.
### Caractéristiques principales
1. Type de transistor:
- Le 2N7000 est un transistor à effet de champ à canal N, ce qui signifie qu%27il utilise des porteurs de charge négatifs (électrons) pour conduire le courant. Cela lui confère des caractéristiques de commutation rapides et une faible consommation d%27énergie.
2. Tension de drain-source (V_DS):
- Le 2N7000 peut supporter une tension maximale entre le drain et la source de 60 V. Cela le rend adapté pour des applications nécessitant une gestion de tension modérée.
3. Courant de drain (I_D):
- Ce transistor peut fournir un courant de drain maximal de 200 mA. Cela le rend approprié pour des applications de faible puissance, telles que le contrôle de petits moteurs ou des circuits de commutation.
4. Résistance à l%27état passant (R_DS(on)):
- La résistance à l%27état passant typique est d%27environ 0,5 Ω à une tension de grille de 10 V. Une faible résistance à l%27état passant permet de réduire les pertes de puissance lors de la conduction.
5. Tension de seuil (V_GS(th)):
- La tension de seuil, qui est la tension minimale nécessaire pour activer le transistor, est typiquement comprise entre 2 V et 4 V. Cela signifie que le transistor commence à conduire lorsque la tension de grille dépasse ce seuil.
6. Fréquence de fonctionnement:
- Le 2N7000 est capable de fonctionner à des fréquences allant jusqu%27à 100 MHz, ce qui le rend adapté pour des applications RF et de commutation rapide.
7. Boîtier:
- Le 2N7000 est disponible dans plusieurs types de boîtiers, notamment le boîtier TO-92, qui est compact et facile à intégrer dans des circuits imprimés.
8. Température de fonctionnement:
- Ce transistor est spécifié pour fonctionner dans une plage de température allant de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté à des environnements variés, y compris des applications industrielles et automobiles.
### Applications
Le 2N7000 est utilisé dans une variété d%27applications, notamment :
- Circuits de commutation pour contrôler des charges telles que des relais et des moteurs.
- Amplificateurs de faible puissance.
- Circuits de protection contre les surintensités.
- Applications de commande de signal dans des systèmes numériques.
- Équipements de communication et de traitement de signal.
### Conclusion
En résumé, le 2N7000 de STMicroelectronics est un transistor à effet de champ à canal N polyvalent, offrant une large gamme de caractéristiques adaptées à diverses applications électroniques. Sa capacité à gérer des tensions et des courants modérés, combinée à sa faible consommation d%27énergie et à sa fiabilité, en fait un choix populaire parmi les concepteurs de circuits. Pour des informations techniques plus détaillées, il est recommandé de consulter la fiche technique officielle fournie par STMicroelectronics.
2N7000 Inventaire: 41955
5.0 / 5.0

2021-06-04 20:43
Todo correspond à la commande.

2021-12-12 14:16
Besoin de tester l’expédition rapide

2021-08-07 08:03
Tous les transiteurs IGBT reçus sont de bonne qualité.

2021-07-13 07:14
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2021-04-11 13:16
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