2N7000-G
Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Description:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000-G Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4.5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
60 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Boîtier
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000-G Inventaire: 47575
5.0 / 5.0
2021-08-07 08:03
Tous les transiteurs IGBT reçus sont de bonne qualité.
2021-07-13 07:14
Expédition rapide, bien emballée! C’est le premier vendeur qui a correctement protégé les capteurs actuels avec de la mousse. Des étoiles supplémentaires pour cette boutique, recommandées !
2021-04-11 13:16
Bon produit, ils ont l’air neuf, pas grattés ou cassés, de très bonne qualité, recommandés
2021-08-19 11:17
Excellentvendeur expédition très rapide
2021-11-10 21:58
Ils ont fière allure, vendeur recommandé, j’arrive très vite, merci beaucoup
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Lithuania
