2N7002-13-F-79

Obsolete - DIODE
2N7002-13-F-79 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
170mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2.5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.23 nC @ 4.5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
50 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
370mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
SOT-23-3
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-13-F-79 Description
Le 2N7002-13-F-79 est un transistor à effet de champ (FET) de type N, fabriqué par Diodes Incorporated. Ce composant est largement utilisé dans diverses applications électroniques, notamment dans les circuits de commutation et d%27amplification. Voici une présentation détaillée de ses spécifications et caractéristiques.
### Caractéristiques Générales
- Type de Transistor: N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- Boîtier: SOT-23, un format compact qui facilite l%27intégration dans des circuits à espace réduit.
- Applications: Utilisé dans les circuits de commutation, les amplificateurs, et les applications de contrôle de puissance.
### Spécifications Électriques
1. Tension Drain-Source (Vds):
- Maximum: 60 V
- Cela signifie que le transistor peut supporter une tension maximale de 60 volts entre le drain et la source sans subir de dommages.
2. Courant Drain (Id):
- Maximum: 200 mA
- Le courant maximum que le transistor peut conduire est de 200 milliampères, ce qui le rend adapté pour des applications de faible puissance.
3. Tension de Grille-Source (Vgs):
- Maximum: ±20 V
- La tension maximale entre la grille et la source doit être respectée pour éviter d%27endommager le transistor.
4. Résistance Drain-Source (Rds(on)):
- Typique: 0.5 Ω à Vgs = 10 V
- Cette faible résistance en mode "on" permet de réduire les pertes de puissance lors de la conduction.
5. Capacité de Grille (Ciss):
- Typique: 60 pF
- La capacité de grille influence la vitesse de commutation du transistor, ce qui est important pour les applications à haute fréquence.
6. Température de Fonctionnement:
- Plage: -55 °C à +150 °C
- Le 2N7002 est conçu pour fonctionner dans une large plage de températures, ce qui le rend adapté à des environnements variés.
### Caractéristiques de Performance
- Vitesse de Commutation:
- Le 2N7002 est capable de commuter rapidement, ce qui est essentiel pour les applications nécessitant des temps de réponse rapides.
- Faible Bruit:
- Conçu pour minimiser le bruit de sortie, ce qui est important dans les applications sensibles au bruit.
- Robustesse:
- Construit pour résister à des conditions environnementales variées, ce qui le rend adapté pour une utilisation dans des environnements industriels.
### Applications
Le 2N7002-13-F-79 est utilisé dans une variété d%27applications, notamment :
- Circuits de Commutation: Utilisé pour contrôler des charges inductives et résistives dans des applications de commutation.
- Amplificateurs: Employé dans des circuits amplificateurs pour des signaux faibles.
- Contrôle de Puissance: Utilisé dans des systèmes de gestion de l%27énergie pour contrôler la puissance fournie à des dispositifs.
### Conclusion
Le 2N7002-13-F-79 de Diodes Incorporated est un transistor MOSFET N-channel compact et efficace, offrant des performances fiables dans une large gamme d%27applications électroniques. Avec sa capacité à gérer des tensions et des courants modérés, sa faible résistance en mode "on", et sa robustesse, il est un choix idéal pour les ingénieurs et les concepteurs de circuits cherchant à intégrer des solutions de commutation et d%27amplification dans leurs projets. Sa conception compacte et ses caractéristiques de performance en font un composant essentiel pour de nombreuses applications modernes.
2N7002-13-F-79 Inventaire: 29180
5.0 / 5.0

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