E4D20120G
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
Description:
DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
E4D20120G Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
E-Series, Automotive
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
56A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 20 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
200 μA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
1474pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Boîtier fournisseur
TO-263-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
E4D20120G Inventaire: 21520
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester
2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!
2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien
France
