E4D02120E-TR
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Description:
DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
E4D02120E-TR Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Série
Automotive, AEC-Q101
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 2 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
50 μA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
153pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
E4D02120E-TR Inventaire: 9240
5.0 / 5.0
2021-12-31 23:06
Bon produit et fonctionne correctement.
2021-07-09 02:45
Bien reçu, pas encore testé
2021-12-03 00:22
Je commande 10pcs. Maintenant, testez trois puces et deux étaient ID 0x441, qui est STM32F412, pas STM32F407. Je suis très déçu.
2021-12-27 06:22
Les marchandises sont très satisfaites, la vendeuse Merci beaucoup.
2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester
United States
