C6D10065Q-TR
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Description:
DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
C6D10065Q-TR Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
39A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.5 V @ 10 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
50 μA @ 650 V
Capacité à Vr, F
611pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
4-QFN (8x8)
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
C6D10065Q-TR Inventaire: 24930
5.0 / 5.0
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien
2021-11-04 06:37
Correspond à mon utilisation
2021-07-11 09:01
Testé, fonctionne comme prévu.
2021-12-09 23:36
Expédition rapide, OK
Spain
