C6D10065G-TR
Active - DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Description:
DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
C6D10065G-TR Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
36A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.4 V @ 10 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
20 μA @ 650 V
Capacité à Vr, F
611pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Boîtier fournisseur
TO-263-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
C6D10065G-TR Inventaire: 34360
5.0 / 5.0
2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien
2021-11-04 06:37
Correspond à mon utilisation
2021-07-11 09:01
Testé, fonctionne comme prévu.
Spain
