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STD3PK50Z

Active Icon Obsolete - MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
STD3PK50Z
STD3PK50Z
STMicroelectronics
Fabricant:
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
 
3D Model Icon

STD3PK50Z Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Fabricant
Série
SuperMESH
Emballage
Tape & Reel (TR)
État du Produit
Obsolete
Type de FET
P-Channel
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.8A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4.5V @ 100μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
?0V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
620 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
70W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD3PK50Z Description

Le STMicroelectronics STD3PK50Z est un transistor MOSFET N-channel de puissance, conçu pour des applications de commutation et d%27amplification. Voici une présentation détaillée en français incluant ses spécifications techniques :

---

### Introduction au STD3PK50Z

Le STD3PK50Z est un transistor MOSFET N-channel, produit par STMicroelectronics. Il est conçu pour offrir des performances élevées dans diverses applications de puissance, telles que les alimentations, les circuits de conversion de puissance, et les systèmes de commande de moteurs.

### Caractéristiques Principales

- Type : MOSFET N-channel
- Boîtier : TO-220
- Technologie : MOSFET à canal N de type DPAK

### Spécifications Techniques

1. Tension de Drain-Source (V_DS) :
- Maximum : 500 V
- La tension maximale que le MOSFET peut supporter entre le drain et la source sans endommagement.

2. Courant de Drain (I_D) :
- Maximum : 3 A (à 25°C)
- Le courant maximal que le MOSFET peut conduire en fonctionnement continu.

3. Résistance Drain-Source en conduction (R_DS(on)) :
- Maximum : 3 Ω (à V_GS = 10 V)
- La résistance entre le drain et la source lorsqu%27il est en état de conduction, ce qui influence les pertes de conduction et l%27efficacité du circuit.

4. Tension de Grille-Source (V_GS) :
- Maximum : ±20 V
- La tension maximale entre la grille et la source.

5. Dissipation de Puissance (P_D) :
- Maximum : 40 W (à 25°C)
- La quantité maximale de puissance que le transistor peut dissiper sans surchauffe.

6. Température de Fonctionnement :
- Plage : -55°C à +150°C
- La plage de température dans laquelle le MOSFET peut fonctionner de manière fiable.

7. Gain de Transconductance (g_fs) :
- Typiquement 2 S (si applicable)
- Mesure de la capacité du MOSFET à amplifier le signal.

8. Capacité de Grille (C_iss) :
- Typiquement 1500 pF (à V_GS = 0 V, V_DS = 25 V)
- La capacité entre la grille et le drain qui affecte la vitesse de commutation.

### Applications Typiques

Le STD3PK50Z est utilisé dans diverses applications, telles que :
- Alimentations : Dans les convertisseurs DC-DC pour réguler la tension et le courant.
- Commande de Moteurs : Pour activer et désactiver les moteurs dans les systèmes de commande.
- Circuits de Protection : Dans les dispositifs de protection contre les surcharges ou les courts-circuits.

### Avantages

- Haute Tension : Capable de supporter des tensions élevées jusqu%27à 500 V.
- Faible R_DS(on) : Réduit les pertes de conduction et améliore l%27efficacité.
- Large Plage de Température : Peut fonctionner dans des environnements variés.

### Conclusion

Le STD3PK50Z de STMicroelectronics est un choix robuste pour des applications nécessitant des performances fiables et une capacité à gérer des courants et des tensions élevés. Ses caractéristiques de faible résistance en conduction et sa large plage de température de fonctionnement en font un composant polyvalent dans les circuits de puissance.

---

Pour plus de détails ou pour obtenir les dernières informations sur le produit, il est recommandé de consulter la fiche technique officielle fournie par STMicroelectronics.

STD3PK50Z Inventaire: 10705

Histoire Prix
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Dainius Pocius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-01-26 00:18
Gauta. Netikrints Veikimas.
Author Icon
Ylenia Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-01-25 06:11
Parfait et arrivé rapidement
Author Icon
Martín Antonio
Location Icon Spain
5 stars
2023-01-25 07:34
Tout est génial!
Author Icon
Olivier Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-01-25 00:07
Conforme j’ai reçu des BTA16-600B
Author Icon
Emily King
Location Icon United States
5 stars
2023-01-27 11:44
L’inscription est très claire, mais a donné pour identifier le composant.

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