STD3PK50Z

Obsolete - MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
Description:
MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
STD3PK50Z Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.8A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4.5V @ 100μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
620 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
70W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD3PK50Z Description
Le STMicroelectronics STD3PK50Z est un transistor MOSFET N-channel de puissance, conçu pour des applications de commutation et d%27amplification. Voici une présentation détaillée en français incluant ses spécifications techniques :
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### Introduction au STD3PK50Z
Le STD3PK50Z est un transistor MOSFET N-channel, produit par STMicroelectronics. Il est conçu pour offrir des performances élevées dans diverses applications de puissance, telles que les alimentations, les circuits de conversion de puissance, et les systèmes de commande de moteurs.
### Caractéristiques Principales
- Type : MOSFET N-channel
- Boîtier : TO-220
- Technologie : MOSFET à canal N de type DPAK
### Spécifications Techniques
1. Tension de Drain-Source (V_DS) :
- Maximum : 500 V
- La tension maximale que le MOSFET peut supporter entre le drain et la source sans endommagement.
2. Courant de Drain (I_D) :
- Maximum : 3 A (à 25°C)
- Le courant maximal que le MOSFET peut conduire en fonctionnement continu.
3. Résistance Drain-Source en conduction (R_DS(on)) :
- Maximum : 3 Ω (à V_GS = 10 V)
- La résistance entre le drain et la source lorsqu%27il est en état de conduction, ce qui influence les pertes de conduction et l%27efficacité du circuit.
4. Tension de Grille-Source (V_GS) :
- Maximum : ±20 V
- La tension maximale entre la grille et la source.
5. Dissipation de Puissance (P_D) :
- Maximum : 40 W (à 25°C)
- La quantité maximale de puissance que le transistor peut dissiper sans surchauffe.
6. Température de Fonctionnement :
- Plage : -55°C à +150°C
- La plage de température dans laquelle le MOSFET peut fonctionner de manière fiable.
7. Gain de Transconductance (g_fs) :
- Typiquement 2 S (si applicable)
- Mesure de la capacité du MOSFET à amplifier le signal.
8. Capacité de Grille (C_iss) :
- Typiquement 1500 pF (à V_GS = 0 V, V_DS = 25 V)
- La capacité entre la grille et le drain qui affecte la vitesse de commutation.
### Applications Typiques
Le STD3PK50Z est utilisé dans diverses applications, telles que :
- Alimentations : Dans les convertisseurs DC-DC pour réguler la tension et le courant.
- Commande de Moteurs : Pour activer et désactiver les moteurs dans les systèmes de commande.
- Circuits de Protection : Dans les dispositifs de protection contre les surcharges ou les courts-circuits.
### Avantages
- Haute Tension : Capable de supporter des tensions élevées jusqu%27à 500 V.
- Faible R_DS(on) : Réduit les pertes de conduction et améliore l%27efficacité.
- Large Plage de Température : Peut fonctionner dans des environnements variés.
### Conclusion
Le STD3PK50Z de STMicroelectronics est un choix robuste pour des applications nécessitant des performances fiables et une capacité à gérer des courants et des tensions élevés. Ses caractéristiques de faible résistance en conduction et sa large plage de température de fonctionnement en font un composant polyvalent dans les circuits de puissance.
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Pour plus de détails ou pour obtenir les dernières informations sur le produit, il est recommandé de consulter la fiche technique officielle fournie par STMicroelectronics.
STD3PK50Z Inventaire: 10705
5.0 / 5.0

2023-01-26 00:18
Gauta. Netikrints Veikimas.

2023-01-25 06:11
Parfait et arrivé rapidement

2023-01-25 07:34
Tout est génial!

2023-01-25 00:07
Conforme j’ai reçu des BTA16-600B

2023-01-27 11:44
L’inscription est très claire, mais a donné pour identifier le composant.