STD18N60M6
Active - MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Description:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
STD18N60M6 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4.75V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
16.8 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
650 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
D-PAK (TO-252)
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
United States
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