STD1HN60K3
Active - MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Description:
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
STD1HN60K3 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1.2A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4.5V @ 50μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9.5 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
140 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max.)
27W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD1HN60K3 Inventaire: 44600
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Tout simplement excellent!!! Merci.
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
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Finland
