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STD13N60M2

Active Icon Active - MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD13N60M2
STD13N60M2
STMicroelectronics
Fabricant:
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
 
3D Model Icon

STD13N60M2 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Fabricant
Série
MDmesh II Plus
Emballage
Tape & Reel (TR)
État du Produit
Active
Type de FET
N-Channel
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
?5V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
580 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD13N60M2 Description

Le STMicroelectronics STD13N60M2 est un transistor à effet de champ (MOSFET) de puissance conçu pour des applications de commutation dans des environnements exigeants. Ce composant est particulièrement apprécié pour sa capacité à gérer des tensions élevées et des courants importants, tout en offrant une faible résistance à l%27état passant, ce qui contribue à une efficacité énergétique accrue.

### Caractéristiques Techniques

1. Type de Composant:
- Le STD13N60M2 est un MOSFET N-channel, ce qui signifie qu%27il utilise un canal de type N pour la conduction. Ce type de transistor est couramment utilisé dans les applications de commutation et d%27amplification.

2. Tension de Drain-Source (V_DS):
- Ce MOSFET est capable de supporter une tension maximale de 600 V entre le drain et la source, ce qui le rend adapté pour des applications nécessitant une isolation élevée.

3. Courant de Drain (I_D):
- Le courant maximal que le STD13N60M2 peut gérer est de 13 A, ce qui permet de l%27utiliser dans des circuits où des courants élevés sont requis.

4. Résistance à l%27État Passant (R_DS(on)):
- La résistance à l%27état passant est d%27environ 0,18 Ω à une température de 25 °C. Cette faible résistance contribue à réduire les pertes de puissance lors de la conduction, améliorant ainsi l%27efficacité globale du circuit.

5. Capacitance:
- Le STD13N60M2 présente une capacité de grille (C_g) qui facilite le contrôle du transistor. La capacité de sortie (C_os) et la capacité de drain-source (C_ds) sont également optimisées pour des performances de commutation rapides.

6. Température de Fonctionnement:
- Le composant est conçu pour fonctionner dans une plage de température de -55 °C à +150 °C, ce qui le rend adapté à des environnements difficiles et à des applications industrielles.

7. Boîtier:
- Le STD13N60M2 est disponible dans un boîtier TO-220, qui permet une dissipation thermique efficace et facilite le montage sur des dissipateurs de chaleur.

### Applications

Le STMicroelectronics STD13N60M2 est utilisé dans une variété d%27applications, notamment :

- Alimentations à Découpage: Utilisé dans les convertisseurs DC-DC et les alimentations à découpage pour gérer la commutation de puissance.
- Contrôleurs de Moteurs: Employé dans les circuits de commande de moteurs, où des commutations rapides et efficaces sont nécessaires.
- Équipements Électroménagers: Utilisé dans des dispositifs tels que les réfrigérateurs, les climatiseurs et autres appareils nécessitant des contrôles de puissance.
- Applications Industrielles: Adapté pour des applications dans des environnements industriels où des tensions et des courants élevés sont courants.

### Conclusion

En résumé, le STMicroelectronics STD13N60M2 est un MOSFET de puissance robuste et efficace, conçu pour des applications de commutation dans des environnements exigeants. Sa capacité à gérer des tensions élevées et des courants importants, combinée à sa faible résistance à l%27état passant, en fait un choix idéal pour les concepteurs de circuits cherchant à optimiser l%27efficacité énergétique et la performance de leurs systèmes.

STD13N60M2 Inventaire: 40660

Histoire Prix
$2.88000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
Author Icon
Asher King
Location Icon United States
5 stars
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
Author Icon
Éloïse Dupuis
Location Icon France
5 stars
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
Author Icon
Naomi Thompson
Location Icon United States
5 stars
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
Author Icon
Émile Lecomte
Location Icon France
5 stars
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!

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