L6389ED
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Description:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
L6389ED Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
17V (Max)
Tension logique - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
400mA, 650mA
Type d%27entrée
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
70ns, 40ns
Tempéature de fonctionnement
-45 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
L6389ED Inventaire: 17760
5.0 / 5.0
2023-04-13 06:43
Les contrôles ont été bien accueillis. Même un de plus que prévu. Encore volontiers.
2023-04-13 12:29
Bien reçu, parfait
2022-10-27 11:50
Livraison rapide, pas encore testée.
2023-04-10 22:57
Super avec ce vendeur toujours. Bien que cette fois, il ait été détenu à la douane et cela a pris près de deux mois.
2023-04-16 21:48
Parfait comme décrit
Germany
