L6389EDTR
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Description:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
L6389EDTR Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
17V (Max)
Tension logique - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
400mA, 650mA
Type d%27entrée
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
70ns, 40ns
Tempéature de fonctionnement
-45 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
L6389EDTR Inventaire: 20125
5.0 / 5.0
2023-01-28 06:32
Works est pas cher
2022-09-04 10:30
Répond à mes attentes merci
2023-01-24 09:08
Okei Okei Okei bistro sposybo
2023-01-26 18:14
Cela a pris un certain temps mais ils sont bien arrivés, merci beaucoup, vendeur recommandé
2023-01-26 04:19
EXCELLENT VENDEUR PARFAIT RECOMMANDÉ
Italy
