K4EBE304ED-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
Description:
IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
K4EBE304ED-EGCG Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Organisation de la mémoire
x32
Interface mémoire
Parallel
Temps de cycle d%27ériture - Mot, page
-
Tension - Alimentation
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Tempéature de fonctionnement
-25 ~ 85 ℃
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
178 FBGA
K4EBE304ED-EGCG Description
Le Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG est un modèle de mémoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) développé par Samsung, principalement utilisé dans des dispositifs mobiles, des ordinateurs portables et d%27autres appareils électroniques exigeants. Il fait partie de la gamme de produits DRAM de Samsung, qui sont conçus pour offrir des performances élevées tout en restant fiables dans des conditions de fonctionnement diverses.
### Spécifications et Caractéristiques Principales :
- Type de mémoire : DDR4 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
- La DDR4 est une évolution de la technologie DRAM qui offre des vitesses de transmission plus élevées et une consommation d%27énergie réduite par rapport à la DDR3.
- Capacité : 4 Go (Gigaoctets)
- Il s%27agit d%27un module de mémoire d%27une capacité de 4 Go, équivalent à 32 Gbits, qui est couramment utilisé dans des appareils mobiles ou des ordinateurs portables de moyenne gamme.
- Organisation de la mémoire : 512M x 8 bits
- Cela signifie que le module est constitué de 512 millions de cellules mémoires, organisées en 8 bits, ce qui permet une densité de stockage suffisante tout en maintenant des performances optimales.
- Vitesse : Le K4EBE304ED-EGCG fonctionne généralement à des vitesses de 2400 Mbps (mégabits par seconde), bien qu%27il puisse atteindre des fréquences plus élevées selon les configurations spécifiques du système.
- Tension : 1,2 V
- Ce module de mémoire fonctionne à une tension de 1,2 V, ce qui est une caractéristique de la DDR4, permettant une consommation d%27énergie plus faible par rapport aux générations précédentes comme la DDR3 (qui fonctionne à 1,5 V).
- Emballage : Le K4EBE304ED-EGCG est livré dans un boîtier FBGA 96 broches (Fine-pitch Ball Grid Array), qui est compact et adapté aux applications mobiles, garantissant ainsi une densité de montage élevée et une meilleure performance thermique.
- Température de fonctionnement : Il est conçu pour fonctionner dans une plage de température allant de 0°C à 95°C, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des appareils grand public et des environnements relativement stables en termes de température.
- Bande passante : La mémoire DDR4 de ce modèle peut offrir une bande passante élevée, atteignant jusqu%27à 19,2 Go/s (gigaoctets par seconde) à une fréquence de 2400 Mbps, ce qui améliore les performances globales du système, en particulier pour les applications gourmandes en ressources telles que les jeux, le traitement multimédia ou le calcul intensif.
- Latence : Comme pour toutes les mémoires DDR4, le K4EBE304ED-EGCG présente une faible latence, ce qui se traduit par des temps de réponse rapides et une grande réactivité dans les environnements nécessitant des échanges de données constants.
### Applications Principales :
Le K4EBE304ED-EGCG est utilisé dans une variété d%27applications électroniques, notamment :
- Appareils mobiles : Smartphones, tablettes, et autres appareils portables.
- Ordinateurs portables et ultrabooks : Idéal pour les ordinateurs de gamme moyenne à haut de gamme en raison de ses performances et de son faible encombrement.
- Systèmes embarqués : Utilisé dans des dispositifs électroniques embarqués où la performance et la compacité sont cruciales.
- Électronique grand public : Appareils comme les téléviseurs intelligents, les consoles de jeux, les équipements audio-visuels et plus encore.
- Automobile : Certaines applications dans l%27électronique automobile nécessitent des mémoires fiables et à faible consommation d%27énergie.
### Avantages :
- Haute performance : Avec des vitesses de données élevées et une bande passante importante, ce modèle assure une exécution fluide des applications, même les plus exigeantes.
- Faible consommation d%27énergie : Avec une tension d%27alimentation de 1,2 V, cette mémoire DDR4 est conçue pour être économe en énergie, ce qui est particulièrement important pour les appareils mobiles.
- Compact et fiable : Le boîtier FBGA à 96 broches permet une densité de montage élevée, réduisant ainsi l%27espace requis sur les circuits imprimés, tout en maintenant une performance fiable et stable.
En résumé, le Samsung K4EBE304ED-EGCG est un module de mémoire DDR4 haute performance, offrant une combinaison de grande capacité, de faible consommation d%27énergie, et de performances supérieures, ce qui en fait un choix idéal pour les dispositifs mobiles modernes et d%27autres applications électroniques exigeantes.
K4EBE304ED-EGCG Inventaire: 37420
5.0 / 5.0

2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester

2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!

2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais

2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien