K4E6E304EB-EGCG

Le Samsung Semiconductor K4E6E304EB-EGCG est un module de mémoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) de type DDR3 (Double Data Rate 3), conçu pour des applications nécessitant une performance élevée et une efficacité énergétique. Ce composant est couramment utilisé dans les ordinateurs, les serveurs, et d%27autres dispositifs électroniques nécessitant une mémoire rapide et fiable. Voici une présentation détaillée de ses spécifications et caractéristiques.

### Caractéristiques Générales

- Type de mémoire: DDR3 SDRAM
- Capacité: 4 Go (Gigaoctets)
- Format: SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module)
- Configuration: 1 x 4 Go

### Spécifications Techniques

1. Paramètres Électriques:
- Tension d%27alimentation: 1.5 V (standard pour DDR3)
- Fréquence de fonctionnement: 1600 MT/s (méga-transferts par seconde)
- Latence CAS: CL11 (11 cycles d%27horloge)

2. Caractéristiques de Performance:
- Bande passante: Jusqu%27à 12.8 Go/s (gigaoctets par seconde) grâce à la technologie DDR3.
- Organisation de la mémoire: 512 M x 8 bits (512 millions de mots de 8 bits).
- Mode de fonctionnement: Mode de lecture/écriture à double donnée, permettant des transferts de données sur les montées et les descentes de l%27horloge.

3. Caractéristiques Thermiques:
- Température de fonctionnement: 0 °C à +85 °C
- Température de stockage: -55 °C à +125 °C

4. Applications:
- Utilisé dans les ordinateurs portables, les systèmes de jeu, les serveurs, et d%27autres dispositifs nécessitant une mémoire vive rapide et efficace.

### Avantages

- Haute Performance: Avec une bande passante élevée et une faible latence, le K4E6E304EB-EGCG est idéal pour les applications nécessitant un accès rapide aux données.
- Efficacité Énergétique: Fonctionnant à une tension de 1.5 V, il contribue à réduire la consommation d%27énergie, ce qui est essentiel pour les appareils portables et les systèmes à faible consommation.
- Fiabilité: Conçu par Samsung, un leader dans le domaine des semi-conducteurs, ce module de mémoire offre une grande fiabilité et une durabilité dans des conditions d%27utilisation variées.

### Conclusion

Le Samsung Semiconductor K4E6E304EB-EGCG est un module de mémoire DDR3 de 4 Go qui se distingue par sa performance élevée et son efficacité énergétique. Grâce à ses caractéristiques techniques avancées, il est particulièrement adapté aux ordinateurs portables, aux serveurs et à d%27autres dispositifs électroniques modernes. Les ingénieurs et concepteurs peuvent compter sur ce composant pour répondre à leurs besoins en matière de mémoire vive, tout en bénéficiant de la réputation de qualité et de fiabilité associée à la marque Samsung.