NTE649G
Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Description:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
NTE649G Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
400 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.3 V @ 1 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
150 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 μA @ 400 V
Capacité à Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 150 ℃
NTE649G Inventaire: 23590
5.0 / 5.0
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!
2023-03-21 12:55
Coincé à la douane
2023-03-20 14:42
Marchandises correspondant à la description et expédition rapide. Vendeur sérieux, recommandé.
France
