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NTE112

Active Icon Active - DIODE SCHOTTKY 5V 30MA DO35
NTE112
NTE112
NTE Electronics
Fabricant:
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
DIODE SCHOTTKY 5V 30MA DO35
 
3D Model Icon

NTE112 Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Fabricant
Série
-
Emballage
Bag
État du Produit
Active
Technologies
Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
5 V
Courant - Moyen redressé (Io)
30mA
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
550 mV @ 10 mA
Vitesse
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
50 nA @ 1 V
Capacité à Vr, F
1pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Through Hole
Boîtier
DO-204AH, DO-35, Axial
Boîtier fournisseur
DO-35
Température de fonctionnement - Jonction
125 ℃

NTE112 Description

Le NTE112 est un transistor NPN de puissance proposé par NTE Electronics, conçu pour des applications d%27amplification et de commutation. Ce composant est particulièrement apprécié pour sa robustesse et sa fiabilité dans divers circuits électroniques. Voici une présentation détaillée de ses spécifications et caractéristiques.

### Description Générale

Le NTE112 est un transistor de type NPN qui se distingue par sa capacité à gérer des courants élevés et des tensions relativement élevées. Il est souvent utilisé dans des applications telles que les amplificateurs audio, les circuits de commande de moteurs, et d%27autres dispositifs nécessitant une amplification de signal.

### Spécifications Techniques

1. Type de Transistor: NPN
2. Configuration: Boîtier TO-220
3. Tension Collecteur-Émetteur (Vce): 60V
4. Courant Collecteur (Ic): 8A
5. Puissance de Dissipation (Pd): 65W
6. Gain en Courant Direct (hFE): 20 à 100 (selon le courant de collecteur)
7. Fréquence de Transition (fT): 3 MHz
8. Température de Fonctionnement: -55°C à +150°C
9. Tension d%27Base-Émetteur (Vbe): 1.5V à 2.5V
10. Capacité de Sortie (Ccb): 100 pF

### Caractéristiques Électriques

- Tension de Rupture: Le NTE112 est capable de supporter des tensions de rupture élevées, ce qui le rend adapté pour des applications où des pics de tension peuvent se produire.
- Stabilité Thermique: Ce transistor offre une bonne stabilité thermique, ce qui est essentiel pour les applications de puissance où la dissipation de chaleur peut être un problème.
- Rapport de Gain: Le gain en courant direct (hFE) est un facteur clé pour déterminer l%27efficacité du transistor dans des applications d%27amplification.

### Applications

Le NTE112 est utilisé dans divers domaines, notamment :

- Amplificateurs Audio: Pour amplifier les signaux audio dans les systèmes de sonorisation et les équipements audio professionnels.
- Circuits de Commutation: Dans les applications où il est nécessaire de contrôler des charges inductives ou résistives, comme les relais et les moteurs.
- Alimentations à Découpage: Utilisé dans les circuits d%27alimentation pour gérer la conversion d%27énergie et améliorer l%27efficacité énergétique.

### Conclusion

Le NTE112 de NTE Electronics est un transistor NPN robuste et polyvalent, idéal pour une variété d%27applications électroniques. Avec ses spécifications techniques impressionnantes et sa capacité à gérer des charges élevées, il est un choix fiable pour les ingénieurs et les concepteurs de circuits. Que ce soit pour des applications d%27amplification ou de commutation, le NTE112 représente une option solide et efficace dans le domaine des composants électroniques.

NTE112 Inventaire: 37000

Histoire Prix
$1.57000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Halina Jankowska
Location Icon Poland
5 stars
2021-12-09 23:36
Expédition rapide, OK
Author Icon
Emil Kwiatkowski
Location Icon Poland
5 stars
2021-06-13 07:47
Ça a l’air authentique. Avoir le logo IR. Pas encore testé.
Author Icon
Gintaras Jonas
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-07 05:43
On dirait pas authentique
Author Icon
Laura Ramirez
Location Icon United States
5 stars
2021-07-21 00:28
D’accord, selon l’annonce.
Author Icon
Valentina
Location Icon Spain
5 stars
2021-07-21 07:53
Produit bon, comme décrit.

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