NTE5887
Active - DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Description:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
NTE5887 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
800 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.26 V @ 38 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
12 mA @ 800 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5887 Inventaire: 32340
5.0 / 5.0
2023-03-25 05:08
Tout est bon recommandé
2023-03-26 07:37
Produits de bonne qualité conformes à la commande. Délai de livraison 18 jours.
2023-03-27 06:47
Excellent article, grand vendeur, A
2023-03-27 01:57
Le tout selon la description. Russie morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Expédition rapide, tout comme décrit.
Italy
