NTE5832
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
Description:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
NTE5832 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.2 V @ 3 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 100 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5832 Inventaire: 18475
5.0 / 5.0
2023-01-26 18:14
Cela a pris un certain temps mais ils sont bien arrivés, merci beaucoup, vendeur recommandé
2023-01-26 04:19
EXCELLENT VENDEUR PARFAIT RECOMMANDÉ
2023-01-26 16:18
Produit arrivé selon l’annonce
2023-01-24 14:27
Je ne les ai pas encore testés pour vérifier qu’ils sont bons, mais un examen visuel attentif était prometteur.
2023-01-27 15:04
Ces transistors sont excellents pour les projets expérimentaux.
United States
