NTE5825
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Description:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5825 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1000 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.4 V @ 12 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
400 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
25 μA @ 1000 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5825 Inventaire: 12230
5.0 / 5.0
2023-03-02 10:04
Expédition rapide, tout OK, recommander des marchandises et vendeur.
2023-03-02 10:05
Tout va bien.
2023-03-02 08:02
Livraison rapide, tout comme décrit.
2023-03-01 12:00
Correspond bien à la description
2023-03-02 07:18
Tout est correct comme décrit
Poland
