NTE5818
Active - DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Description:
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
NTE5818 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.4 V @ 12 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
400 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
25 μA @ 200 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5818 Inventaire: 10900
5.0 / 5.0
2023-03-25 04:23
Tout comme commandé, je n’ai pas vérifié la qualité, mais l’apparence et la quantité sont conformes à la description. La livraison est rapide. Merci! (PS Oui, je suis une femme ! Ne vous laissez pas confondre!)
2023-03-26 01:25
Ils sont arrivés beaucoup plus vite que prévu. Tout ce que j’ai à faire est de les monter.
2023-03-24 03:47
Tout simplement excellent!!! Merci.
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
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