NTE5811
Active - DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Description:
DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
NTE5811 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.26 V @ 38 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
12 mA @ 1200 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5811 Inventaire: 44185
5.0 / 5.0
2023-03-17 23:22
Marchandises OK, expédition très rapide.
2023-03-17 13:18
Tout fonctionne très bien
2023-03-17 03:02
Livré en Hollande en 9 jours!!! Excellent service
2023-03-17 08:43
tout est excellent, expédition très rapide
2023-03-17 08:43
tout est excellent, expédition très rapide
Poland
