NTE552-100
Active - DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Description:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
NTE552-100 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
600 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.2 V @ 1 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
200 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 μA @ 600 V
Capacité à Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage
Through Hole
Boîtier
DO-204AL, DO-41, Axial
Boîtier fournisseur
DO-41
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE552-100 Inventaire: 2540
5.0 / 5.0
2023-04-04 05:08
Livraison soignée bon service recommandé
2023-04-06 10:46
Très bon vendeur très rapide produit bien emballé merci aussi
2023-04-05 07:51
Haut comme la description
2023-04-06 01:07
J’avais besoin des MOSFET pour une carte RGBW. Après un an, tout va toujours bien
2023-04-05 14:52
Excellent produit, prix et expédition. Excellent vendeur !!! Merci.
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