WAS530M12BM3
Active - SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
Description:
SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
WAS530M12BM3 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuration
Silicon Carbide (SiC)
Fonction FET
1200V (1.2kV)
Tension drain-source (Vdss)
630A (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3.47mOhm @ 530A, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3.6V @ 127mA
Vgs(th) (max.) à Id
1362nC @ 15V
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
38900pF @ 800V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
-
Puissance - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Température de fonctionnement
Chassis Mount
WAS530M12BM3 Inventaire: 15660
5.0 / 5.0
2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien
2021-11-04 06:37
Correspond à mon utilisation
2021-07-11 09:01
Testé, fonctionne comme prévu.
Spain
