CAB008M12GM3
Active - 1200V 2B HALF-BRIDGE
Description:
1200V 2B HALF-BRIDGE
CAB008M12GM3 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuration
Silicon Carbide (SiC)
Fonction FET
1200V (1.2kV)
Tension drain-source (Vdss)
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10.4mOhm @ 150A, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3.6V @ 46mA
Vgs(th) (max.) à Id
472nC @ 15V
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
13600pF @ 800V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
-
Puissance - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Température de fonctionnement
Chassis Mount
CAB008M12GM3 Inventaire: 34020
5.0 / 5.0
2021-06-10 07:32
Recu dans 89 jours, bande, à tester
2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!
2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais
2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.
2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien
France
