C4D10120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2
Description:
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2
C4D10120E Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
33A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 10 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
250 μA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
754pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Boîtier fournisseur
TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D10120E Inventaire: 5470
5.0 / 5.0
2023-03-23 22:54
Tout est correct recommandé, excellent produit
2023-03-25 04:23
Tout comme commandé, je n’ai pas vérifié la qualité, mais l’apparence et la quantité sont conformes à la description. La livraison est rapide. Merci! (PS Oui, je suis une femme ! Ne vous laissez pas confondre!)
2023-03-26 01:25
Ils sont arrivés beaucoup plus vite que prévu. Tout ce que j’ai à faire est de les monter.
2023-03-24 03:47
Tout simplement excellent!!! Merci.
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
Italy
