C4D05120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2
Description:
DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2
C4D05120E Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
19A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 5 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
150 μA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
390pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Boîtier fournisseur
TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D05120E Inventaire: 33840
5.0 / 5.0
2023-04-24 13:06
Tout est génial! Recommandé
2023-05-13 02:55
J’ai reçu le colis. Tout comme décrit. Livraison moins d’un mois. Un peu plus d’une centaine. Le vendeur et le magasin le recommandent.
2023-05-13 02:55
J’ai reçu le colis. Tout comme décrit. Livraison moins d’un mois. Un peu plus d’une centaine. Le vendeur et le magasin le recommandent.
2023-04-28 05:02
Tout est correct, comme je m’y attendais.
2023-05-13 12:48
merci, tout va bien, je suis satisfait
Italy
