IRFD224
Active - MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Description:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRFD224 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
630mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
260 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
4-HVMDIP
Boîtier
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD224 Inventaire: 12480
5.0 / 5.0
2023-05-22 02:12
Je suis toujours très satisfait de ce vendeur avec des produits de qualité
2023-05-22 05:34
Tout va bien merci
2023-05-23 23:55
Livraison rapide, et comme la description
2023-05-23 05:40
Traitement parfait et rapide, vendeur fiable, 5 étoiles *****
2023-05-23 21:41
Bonne qualité et livraison rapide :-)
France
