IRC640PBF
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
Description:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
IRC640PBF Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
18A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
1300 pF @ 25 V
Fonction FET
Current Sensing
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-220-5
IRC640PBF Inventaire: 4940
5.0 / 5.0
2023-02-27 20:16
En apparence, tout va bien. Je n’ai pas encore vérifié le travail.
2023-02-28 01:22
ABG parfait, comme encore.
2023-02-28 12:17
Expédition rapide, tout OK. Je recommande.
2023-02-27 04:25
Livraison super rapide
2023-02-28 12:17
Expédition rapide, tout OK. Je recommande.
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