HS3G

Active - DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Description:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
HS3G Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
400 V
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
-
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
50 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 400 V
Capacité à Vr, F
80pF @ 4V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 150 ℃
HS3G Description
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) est l%27un des plus grands fabricants de semi-conducteurs au monde, et le HS3G est l%27un de ses produits phares. Le HS3G est un processus de fabrication de semi-conducteurs qui utilise une technologie avancée pour produire des circuits intégrés de haute performance. Voici une présentation détaillée de ce produit, y compris ses spécifications et paramètres.
### Introduction au HS3G
Le HS3G est un processus de fabrication de semi-conducteurs basé sur une technologie de gravure à 3 nanomètres. Il est conçu pour répondre aux besoins croissants en matière de performance et d%27efficacité énergétique dans des applications variées, notamment les smartphones, les ordinateurs, et les dispositifs IoT (Internet des objets).
### Spécifications Techniques
1. Technologie de Fabrication:
- Processus: 3 nm FinFET
- Type de transistor: Transistors à effet de champ à grille fin (FinFET)
- Densité d%27intégration: Élevée, permettant un plus grand nombre de transistors par puce.
2. Performance:
- Fréquence d%27horloge: Capable de supporter des fréquences d%27horloge élevées, ce qui améliore les performances globales des circuits intégrés.
- Consommation d%27énergie: Réduction significative de la consommation d%27énergie par rapport aux technologies précédentes, ce qui est crucial pour les appareils mobiles.
3. Caractéristiques Électriques:
- Tension d%27alimentation: Optimisée pour fonctionner à des tensions plus basses, ce qui contribue à l%27efficacité énergétique.
- Impédance d%27entrée/sortie: Conçue pour minimiser les pertes de signal et améliorer la performance des circuits.
4. Applications:
- Smartphones: Utilisé dans les processeurs de dernière génération pour améliorer les performances des applications mobiles.
- Ordinateurs: Intégré dans les unités centrales de traitement (CPU) et les unités de traitement graphique (GPU) pour des performances accrues.
- IoT: Adapté pour des dispositifs nécessitant une faible consommation d%27énergie tout en maintenant des performances élevées.
5. Avantages Concurrentiels:
- Efficacité énergétique: Le HS3G offre une meilleure efficacité énergétique, ce qui est essentiel dans un monde où la durabilité est de plus en plus importante.
- Performance améliorée: Grâce à la technologie FinFET, les performances des circuits intégrés sont considérablement améliorées, permettant des applications plus complexes et plus rapides.
### Conclusion
Le HS3G de TSMC représente une avancée significative dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs. Avec ses spécifications techniques avancées et ses applications variées, il est bien positionné pour répondre aux besoins futurs du marché des technologies. En intégrant des performances élevées et une efficacité énergétique, le HS3G est un choix privilégié pour les fabricants de dispositifs électroniques cherchant à innover et à rester compétitifs.
HS3G Inventaire: 6990
5.0 / 5.0

2021-11-23 06:50
Tout va bien, merci!

2021-12-23 03:52
D’accord. Reçu dans les délais

2021-02-06 23:42
Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

2021-08-04 23:28
2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien

2021-11-04 06:37
Correspond à mon utilisation