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Home  /  Circuits Intégrés (CI)  /  PMIC - Commutateurs de distribution de puissance, circuits d'attaque de charge  /  STMicroelectronics VND5050J-E

VND5050J-E

Active Icon Obsolete - IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
VND5050J-E
VND5050J-E
STMicroelectronics
Fabricant:
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
 
3D Model Icon

VND5050J-E Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Fabricant
Série
VIPower
Emballage
Tube
État du Produit
Obsolete
Type de commutateur
General Purpose
Nombre de sorties
2
Rapport - Entrée:Sortie
1:1
Configuration de sortie
High Side
Type de sortie
N-Channel
Interface
On/Off
Tension - Charge
4.5V ~ 36V
Tension - Alimentation (Vcc/Vdd)
Not Required
Courant - Sortie (max.)
12A
Rds On (typ.)
50mOhm (Max)
Type d%27entrée
Non-Inverting
Fonctionnalité
Auto Restart, Status Flag
Protection contre les défaillances
Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
PowerSSO-12?
Boîtier
PowerSSO-12

VND5050J-E Description

Le STMicroelectronics VND5050J-E est un dispositif de gestion de puissance, spécifiquement un relais à semi-conducteurs (ou MOSFET) conçu pour des applications automobiles et industrielles. Ce composant est particulièrement apprécié pour sa capacité à contrôler des charges inductives et résistives avec une grande efficacité et fiabilité. Voici une présentation détaillée de ses spécifications et caractéristiques.

### Caractéristiques Générales

- Type de dispositif: Relais à semi-conducteurs (MOSFET)
- Modèle: VND5050J-E
- Fabricant: STMicroelectronics
- Configuration: Monolithique, permettant une intégration facile dans des circuits complexes.

### Spécifications Techniques

- Tension d%27alimentation:
- Plage de tension d%27alimentation de 4.5 V à 36 V, ce qui le rend adapté à une large gamme d%27applications.
- Courant de sortie maximum:
- Capable de fournir jusqu%27à 50 A de courant de sortie, ce qui le rend idéal pour des applications nécessitant une puissance élevée.
- Résistance à l%27état passant (R_DS(on)):
- Typiquement 10 mΩ, garantissant une faible dissipation de puissance et une efficacité élevée.

### Caractéristiques Électriques

- Protection intégrée:
- Comprend des protections contre les surintensités, les courts-circuits et la surchauffe, assurant une utilisation sécurisée dans des environnements exigeants.
- Temps de réponse:
- Temps de commutation rapide, permettant un contrôle efficace des charges.
- Isolation:
- Isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de puissance, garantissant la sécurité des composants sensibles.

### Dimensions et Boîtier

- Boîtier:
- Disponible en boîtier PowerSO-10, facilitant le montage sur des dissipateurs thermiques pour une meilleure gestion de la chaleur.
- Dimensions:
- Environ 10 mm x 6 mm x 1.5 mm, ce qui permet une intégration facile dans des dispositifs compacts.

### Température de Fonctionnement

- Plage de température:
- -40°C à +150°C, permettant une utilisation dans des environnements variés et exigeants, notamment dans le secteur automobile.

### Applications

Le VND5050J-E est adapté à une variété d%27applications, notamment :

- Contrôle de moteurs dans les systèmes automobiles
- Gestion de l%27éclairage
- Systèmes de chauffage
- Applications industrielles nécessitant un contrôle de puissance
- Systèmes de protection de circuits

### Avantages

- Efficacité Énergétique: Grâce à sa faible résistance à l%27état passant, il minimise les pertes d%27énergie, ce qui est crucial pour les applications à haute puissance.
- Fiabilité: Conçu pour fonctionner dans des conditions extrêmes, il offre une durabilité et une performance stable dans des environnements difficiles.
- Facilité d%27Intégration: Sa conception monolithique et son boîtier compact facilitent son intégration dans des circuits imprimés modernes.

### Conclusion

Le STMicroelectronics VND5050J-E est un relais à semi-conducteurs performant et fiable, idéal pour les ingénieurs et les concepteurs à la recherche d%27une solution de gestion de puissance efficace. Avec ses spécifications techniques avancées et sa conception robuste, il répond aux exigences des applications modernes en matière de contrôle de puissance. Que ce soit pour des systèmes automobiles, des applications industrielles ou des dispositifs de gestion de l%27énergie, le VND5050J-E se positionne comme un composant essentiel dans le domaine de l%27électronique.

VND5050J-E Inventaire: 34100

Histoire Prix
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Hugo Javier
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-28 05:11
Produit selon description
Author Icon
Cezary Kwiatkowski
Location Icon Poland
5 stars
2023-02-27 07:35
Envoi reçu, transistors non étendus.
Author Icon
Quinto Barbieri
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-01 01:33
Très agréable, dans des conteneurs séparés.
Author Icon
Nora Scott
Location Icon United States
5 stars
2023-03-01 17:21
Arrivé dans les 9 jours après la commande.
Merci!
Author Icon
Niklas Hoffmann
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-28 05:32
Bien paraître doit encore être obstrué

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