STS2DPFS20V
Obsolete - MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
Description:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
STS2DPFS20V Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.5A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2.7V, 4.5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (max.) à Id
600mV @ 250μA (Min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
315 pF @ 15 V
Fonction FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
2W (Tc)
Température de fonctionnement
150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
France
