STPSC406B-TR
Active - DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
Description:
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
STPSC406B-TR Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
600 V
Courant - Moyen redressé (Io)
4A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.9 V @ 4 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
50 μA @ 600 V
Capacité à Vr, F
200pF @ 0V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement - Jonction
-40 ℃ ~ 175 ℃
STPSC406B-TR Inventaire: 23220
5.0 / 5.0
2023-04-06 14:42
Pas encore essayé
2023-04-07 12:20
v
2023-04-04 12:09
Tout est correct recommandé
2023-04-06 08:13
Très précis, très rapide, avantageux
2023-04-05 08:22
Alors, comment devrait-il en être ainsi!!!
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United States
