STP19NB20
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Description:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
STP19NB20 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
19A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
1000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-220
Poland
