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PD20010S-E

Active Icon Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010S-E
PD20010S-E
STMicroelectronics
Fabricant:
Partie du Fabricant #
Fiche Technique:
Description:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
 
3D Model Icon

PD20010S-E Spécification

Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Fabricant
Série
-
Emballage
Tube
État du Produit
Obsolete
Technologies
LDMOS
Configuration
2GHz
Fréquence
11dB
Gain
13.6 V
Tension - Test
5A
Courant nominal (A)
-
Facteur de bruit
150 mA
Courant - Test
10W
Puissance - Sortie
40 V
Tension - Nominale
-
Type de montage
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Boîtier
PowerSO-10RF (Straight Lead)
Boîtier fournisseur
-

PD20010S-E Inventaire: 21040

Histoire Prix
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Finn Johnson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-08 13:25
Expédition rapide et arrivée en bon état.
Author Icon
Zeno Romano
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-11 03:28
Vendeur sérieux et honnête, objet comme description, ce fut un plaisir de faire affaire avec le vendeur, salutations de Milan
Author Icon
Mikko Rautio
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-08 08:29
On dirait que le gars qui a fait le logo de Texas Instruments sur ces « IC nouveaux et originaux » avait un cas de gueule de bois. Pas encore testé, mais au cas où ceux-ci fonctionneraient réellement comme un vrai NE5532P, je publierai des commentaires supplémentaires.
Author Icon
Ylenia Morelli
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-11 08:26
Tout va bien. Non testé
Author Icon
Teresa Alejandra Morales
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-08 22:33
Travailler sur un subwofer Sony ct-291.

PD20010S-E Pièces Connexes

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