40HFR80
Active - DIODE GEN PURP 800V 40A DO5
Description:
DIODE GEN PURP 800V 40A DO5
40HFR80 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
800 V
Courant - Moyen redressé (Io)
40A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.3 V @ 40 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
100 μA @ 800 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AB, DO-5, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 150 ℃
40HFR80 Inventaire: 22360
5.0 / 5.0
2023-02-10 00:45
Je ne peux pas encore les tester
2023-02-10 06:39
Super bien merci
2023-02-09 12:01
Merci, objet conforme, suivi de livraison rapide ok, voir sur la prochaine commande !!
2023-02-10 11:00
Salut chaleureusement tout va bien selon la description de recommander une livraison super rapide pour ce qui vous remercie
concerne B
2022-08-19 13:29
Les transistors IGBT vérifiés sur testerach et tescie ouvrent et ferment, tous les 5 pièces lisses.<br>Quant à l’instant de ce vendeur przychodza tout lisse ce qui est rzadkoscia U autre sprzedawcow tranzystorow IGBT, recommande, bonne communication avec le vendeur.
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