1N1200RB
Active - DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Description:
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
1N1200RB Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
Standard, Reverse Polarity
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
100 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.2 V @ 30 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 100 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N1200RB Inventaire: 8165
5.0 / 5.0
2023-03-09 04:31
Excellent produit et excellent vendeur
2023-03-10 14:16
Article tel que décrit, tout bon
2023-03-11 15:35
Good-Ic Max -100 mA.
Vce Max -45V
Vebo Max -5V
Vbe (Sat) -0.7V (Ic = -10mA, Ib = -0.5mA)
Expédition pour l’Italie en 17 jours.
Je recommande l’achat
2023-03-08 21:30
Le produit a fière allure
2023-03-08 13:25
Expédition rapide et arrivée en bon état.
Italy
