16F100
Active - DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4
Description:
DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4
16F100 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1000 V
Courant - Moyen redressé (Io)
16A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.2 V @ 16 A
Vitesse
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
-
Courant - Fuite inverse à Vr
10 μA @ 1000 V
Type de montage
Stud Mount
Boîtier
DO-203AA, DO-4, Stud
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 150 ℃
16F100 Inventaire: 440
5.0 / 5.0
2023-02-09 12:01
Merci, objet conforme, suivi de livraison rapide ok, voir sur la prochaine commande !!
2023-02-10 11:00
Salut chaleureusement tout va bien selon la description de recommander une livraison super rapide pour ce qui vous remercie
concerne B
2022-08-19 13:29
Les transistors IGBT vérifiés sur testerach et tescie ouvrent et ferment, tous les 5 pièces lisses.<br>Quant à l’instant de ce vendeur przychodza tout lisse ce qui est rzadkoscia U autre sprzedawcow tranzystorow IGBT, recommande, bonne communication avec le vendeur.
2023-02-09 11:27
Comme dans la description, je ne les ai pas installés pour tester
2023-02-10 05:28
Apparence de qualité bien emballé merci
France
