SI51210-B14578-GM

Active - IC CLOCK GENERATOR 6TDFN
Description:
IC CLOCK GENERATOR 6TDFN
SI51210-B14578-GM Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Rapport - Entrée:Sortie
1:2
Difféentiel - Entrée:Sortie
No/No
Diviseur/Multiplicateur
Yes/No
Tension - Alimentation
2.25V ~ 2.75V, 2.97V ~ 3.63V
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
6-TDFN (1.2x1.4)
SI51210-B14578-GM Description
## Vue d'ensemble
Le Skyworks Solutions SI51210-B14578-GM est un amplificateur RF monolithique haute performance conçu pour les applications de communication sans fil. Il est optimisé pour fournir un gain linéaire élevé, une faible distorsion et un rendement énergétique adapté aux systèmes de communication modernes. Ce composant convient aux systèmes LTE, 5G et autres technologies de radiofréquence nécessitant une amplification fiable et efficace des signaux.
## Caractéristiques principales
* Type de composant : Amplificateur RF monolithique
* Plage de fréquence : 700 MHz à 2700 MHz, adaptée aux bandes cellulaires et LTE
* Gain typique : 25 dB à fréquence nominale
* Puissance de sortie maximale : 33 dBm en P1dB
* Courant d'alimentation : 120 mA typique à Vcc = 5 V
* Tension d’alimentation (Vcc) : 4,5 V à 5,5 V
* Configuration : MMIC avec entrée et sortie différentielles pour adaptation d’impédance
Cette configuration assure une amplification efficace avec une linéarité optimale et un minimum de distorsion harmonique.
## Performance électrique et RF
* P1dB (1 dB compression point) : 33 dBm typique
* IMD3 (Distorsion d’intermodulation de 3e ordre) : −30 dBc typique à puissance nominale
* Noise Figure : 2,5 dB typique à 2 GHz
* VSWR d’entrée et de sortie : < 1,5:1 pour une adaptation optimale d’impédance
* Rendement énergétique : jusqu’à 45 % en conditions typiques
* Stabilité : stable pour toute la plage de fréquence et conditions d’alimentation spécifiées
Ces performances garantissent une amplification de signal efficace et linéaire pour les applications RF sensibles.
## Interfaces et contrôle
* Entrée RF : compatible avec impédance 50 Ω
* Sortie RF : impédance 50 Ω, adaptée aux chaînes RF standards
* Broches de polarisation : réglage externe pour ajustement du point de fonctionnement et du gain
* Contrôle thermique et protection : circuits intégrés pour limiter la surchauffe et protéger contre les surintensités
Les interfaces simples permettent une intégration directe dans les modules RF et les systèmes de communication sans fil.
## Caractéristiques thermiques et robustesse
* Plage de température de fonctionnement : −40 °C à +85 °C
* Température de stockage : −65 °C à +150 °C
* Dissipation thermique : gérée via le boîtier et plan de masse pour utilisation en surface
* Protection ESD : intégrée, jusqu’à ±2 kV sur broches RF
Ces caractéristiques assurent une fiabilité élevée dans des environnements industriels et mobiles exigeants.
## Packaging et caractéristiques physiques
* Type de boîtier : QFN, montage en surface
* Dimensions typiques : 3 mm × 3 mm
* Broches : 16 broches pour alimentation, contrôle et signaux RF
* Finition des broches : compatible RoHS, sans plomb
* Montage : surface-mount, adapté aux cartes RF haute densité
Le boîtier compact QFN permet une intégration facile dans les modules RF tout en facilitant la dissipation thermique.
## Applications typiques
* Amplification RF dans les stations de base LTE et 5G
* Modules d’interface RF pour équipements de télécommunication
* Systèmes de communication sans fil embarqués
* Amplification de signaux dans les réseaux privés et industriels
* Applications de test et mesure RF nécessitant faible bruit et haute linéarité
Grâce à sa haute linéarité, faible bruit et puissance de sortie élevée, le SI51210-B14578-GM est adapté aux systèmes de communication avancés et aux applications RF exigeantes.
## Résumé
Le Skyworks SI51210-B14578-GM est un amplificateur RF monolithique offrant un gain de 25 dB, une puissance de sortie P1dB de 33 dBm, et un noise figure de 2,5 dB typique. Alimenté en 5 V avec un courant typique de 120 mA, il fonctionne de −40 °C à +85 °C et est présenté en boîtier QFN compact. Ses caractéristiques en font un composant idéal pour les systèmes LTE, 5G et autres applications RF nécessitant linéarité, efficacité énergétique et fiabilité.
SI51210-B14578-GM Inventaire: 1570
5.0 / 5.0

2021-08-12 12:06
Transistors IGBT non détectés SA pour testerach à côté de plus t7-h, en tescie pour przelaczanie avec-12V pour E plus zarowka alimenté + 12V pour C déclenché doigt avec Plus, zalancza avec-wylancza. Wysylka très rapide, livraison rapide, produit bon jakosci, très nous

2021-12-31 23:06
Bon produit et fonctionne correctement.

2021-07-09 02:45
Bien reçu, pas encore testé

2021-12-03 00:22
Je commande 10pcs. Maintenant, testez trois puces et deux étaient ID 0x441, qui est STM32F412, pas STM32F407. Je suis très déçu.

2021-12-27 06:22
Les marchandises sont très satisfaites, la vendeuse Merci beaucoup.