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2SA1669-TB-E

Active - PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

Fabricant:

SANYO Semiconductor

Partie du Fabricant #

2SA1669-TB-E

Catégorie:

Transistors - RF Bipolaire (BJT)

Fiche Technique:

2SA1669-TB-E

Description:

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

2SA1669-TB-E Spécification

Attribut du Produit

Valeur d'attribut

Catégorie

Transistors - RF Bipolaire (BJT)

Fabricant

SANYO Semiconductor

Série

-

Emballage

Bulk

État du Produit

Active

Type de transistor

PNP

Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)

15V

Fréquence - Transition

3GHz

Facteur de bruit (dB typ. à f)

2dB @ 900MHz

Gain

5dB

Puissance - Max.

250mW

Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

Courant - Collecteur (Ic) (max.)

50mA

Température de fonctionnement

-

Type de montage

Surface Mount

Boîtier

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Boîtier fournisseur

3-CP

2SA1669-TB-E Inventaire: 13030

Histoire Prix

Active

5.0 / 5.0

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tout va bien, merci!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

D’accord. Reçu dans les délais

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Correspond à mon utilisation

2SA1669-TB-E

2SA1669-TB-E Spécification

2SA1669-TB-E Inventaire: 13030

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