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K4F4E3S4HF-GUCJ

Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

Fabricant:

Samsung Semiconductor

Partie du Fabricant #

K4F4E3S4HF-GUCJ

Catégorie:

Mémoire

Fiche Technique:

K4F4E3S4HF-GUCJ

Description:

IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

K4F4E3S4HF-GUCJ Spécification

Attribut du Produit

Valeur d'attribut

Catégorie

Mémoire

Fabricant

Samsung Semiconductor

Série

-

Emballage

Tray

État du Produit

Active

Type de mémoire

Volatile

Format méoire

DRAM

Technologies

LPDDR4

Taille mémoire

4 Gb

Organisation de la mémoire

x32

Interface mémoire

Parallel

Fréuence d%27horloge

-

Temps de cycle d%27ériture - Mot, page

-

Temps d%27accès

-

Tension - Alimentation

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Tempéature de fonctionnement

-40 ~ 125 ℃

Type de montage

Surface Mount

Boîtier

200 FBGA

Boîtier fournisseur

200 FBGA

K4F4E3S4HF-GUCJ Inventaire: 22675

Histoire Prix

0

5.0 / 5.0

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

Tout va bien, merci!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

D’accord. Reçu dans les délais

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

Reçu parfaitement. Soudé une unité sur sa carte de circuit imprimé correspondante fonctionnant parfaitement pour remplacer une unité défectueuse sur une plaque Arduino Nano.

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

2 semaines pour la livraison. Les puces fonctionnent bien

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

Correspond à mon utilisation

K4F4E3S4HF-GUCJ

K4F4E3S4HF-GUCJ Spécification

K4F4E3S4HF-GUCJ Inventaire: 22675

K4F4E3S4HF-GUCJ Pièces Connexes