RM1216
Active - MOSFET P-CHANNEL 12V 16A 6DFN
Description:
MOSFET P-CHANNEL 12V 16A 6DFN
RM1216 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2.5V, 4.5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
18mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (max.) à Id
1V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2700 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max.)
18W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
6-DFN (2x2)
Boîtier
6-WDFN Exposed Pad
Poland
