RGF1M
Active - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Description:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
RGF1M Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1000 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.3 V @ 1 A
Vitesse
Fast Recovery = 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
500 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 μA @ 1000 V
Capacité à Vr, F
8.5pF @ 4V, 1MHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction
-65 ℃ ~ 175 ℃
France
