NDS8958
Obsolete - MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Description:
MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
NDS8958 Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
N and P-Channel
Configuration
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
5.3A, 4A
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
35mOhm @ 5.3A, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2.8V @ 250μA
Vgs(th) (max.) à Id
30nC @ 10V
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
720pF @ 15V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
900mW
Puissance - Max.
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Température de fonctionnement
Surface Mount
Type de montage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poland
