FQA8N80C
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Description:
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
FQA8N80C Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8.4A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
45 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2050 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
220W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-3P
FQA8N80C Inventaire: 21835
5.0 / 5.0
2023-03-21 12:55
Coincé à la douane
2023-03-20 14:42
Marchandises correspondant à la description et expédition rapide. Vendeur sérieux, recommandé.
2023-03-22 01:07
Produit conforme (pas encore testé). Envoi rapide et soigné. Vendeur à recommander. Merci. Merci.
2023-03-24 11:36
Comme toujours je suis satisfait de ce vendeur Merci
2023-03-23 22:53
Tout est correct recommandé, excellent produit
Italy
