FQA19N20L
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
Description:
MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
FQA19N20L Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
25A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
140mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
35 nC @ 5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
190W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier fournisseur
TO-3P
United States
