FFSD0865B
Active - DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Description:
DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
FFSD0865B Spécification
Attribut du Produit
Valeur d'attribut
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologies
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
11.6A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 8 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
40 μA @ 650 V
Capacité à Vr, F
336pF @ 1V, 100kHz
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Boîtier fournisseur
D-PAK (TO-252)
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSD0865B Inventaire: 41040
5.0 / 5.0
2022-12-19 19:44
La livraison n’est pas arrivée.
2023-03-25 13:19
Est comme la description (Toshiba). C’est le montant que j’ai demandé. Très vite, il a envoyé. Pas encore prouvé, je mettrai un commentaire supplémentaire plus tard.
2023-03-25 19:53
Ça a l’air bien. Pas encore testé.
2022-11-10 14:27
certains composants endommagés, inutilisables
2023-03-20 09:32
Eh bien 50 pièces. Idéal pour le prix!
Finland
